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IGBT电镀局部镀镍(nie)2-6um

IGBT模块的开关(guan)作用是(shi)通过加正向栅极电(dian)压形(xing)成沟道，给PNP（原(yuan)来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断(duan)。驱动(dong)方法和(he)MOSFET基本相同(tong)，只要控制输入极N-沟道MOSFET，所以(yi)具有高输入阻(zu)抗特(te)性。当MOSFET的沟道形成(cheng)后，从P+基极注入到(dao)N-层的空穴（少子），对N-层进行电导(dao)调制，减小N-层的电阻，使IGBT模块在高(gao)电压时，也(ye)具(ju)有低的通态电压。

上一(yi)篇：IGBT模(mo)块局部(bu)镀镍2-6um

下一篇：IGBT电镀全镀镍2-6um

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